UVLED結構組成

UVLED（紫外線LED）由一個或多個InGaN量子阱夾在較薄的GaN三明治結構之間組成，形成的有效區域是一個覆蓋層。 通過將InN-GaN的相對比例更改為InGaN量子阱，可以將發射波長從紫光

更改為其他光。
AlGaN可以通過更改AlN比例來制作UVLED和量子阱層的包層，但是這些設備的效率和成熟度很差。 如果活性的量子阱層是GaN，則相反的是InGaN或AlGaN合金，

，則器件發射的光譜范圍為350?370nm。


當LED泵上的藍色InGaN電子脈沖短時，會產生紫外線。 含鋁的氮化物，特別是AlGaN和AlGaInN可以制成短波長器件，并獲得串聯波長UVLED。 波長高達

247nm的二極管已經商品化，基于氮化鋁可以發射210nm紫外線的發光二極管已經成功開發，并且在250?270nm波段的UVLED也正在開發中。


III-V族金屬氮化物基半導體非常適合制造紫外線輻射源。 以AlGaInN為例，在室溫下，隨著各組分比例的變化，復合過程中電子和空穴的輻射能量為1.89?6.2eV。 如果LED

的有源層由GaN或AlGaN組成，則其紫外線輻射效率非常低，因為電子和空穴之間的復合是非輻射復合。 如果在此層中摻雜少量金屬In，則有源層的局部能級將發生變化。


這時，電子和空穴將發生輻射復合。 因此，當有源層中摻雜有金屬銦時，在380nm處的輻射效率比未摻雜時高19倍。

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